在晶圓廠完成加工但尚未完成封裝的芯片被稱為裸芯，此時(shí)芯片還是附著在晶圓（wafer）上的一顆顆Die。由于芯片的封裝成本較高，且有一部分芯片的性能在封裝后難以測(cè)試，所以需要在裸芯階段先完成芯片的相關(guān)性能測(cè)試，避免NG芯片流入封裝環(huán)節(jié)，增加芯片的生產(chǎn)成本。

而裸芯在封裝前的測(cè)試及被稱為晶圓探針測(cè)試（Chip Probing），即CP測(cè)試。

布滿Die的晶圓

在CP測(cè)試過(guò)程中需要將測(cè)試機(jī)與芯片連接起來(lái)，然后進(jìn)行電性能測(cè)試，而此時(shí)Die對(duì)外鏈接的端口是Pad或Bump這兩種形態(tài)，在同一個(gè)Die上的Pad/Bump數(shù)量可以多達(dá)上萬(wàn)個(gè)，Pad/Bump的尺寸可以小至幾十微米，相鄰兩個(gè)Pad/Bump之間的距離最小也可以達(dá)到幾十微米，因此想要連接測(cè)試機(jī)與Die就變成了一件非常復(fù)雜的事情，而探針卡則是用來(lái)完成這復(fù)雜事情的核心部件。

探針卡主要由探針，PCB板，結(jié)構(gòu)件以及電子元器件組成，其中探針的針尖用來(lái)接觸Die上的Pad/Bump，而PCB板用來(lái)與測(cè)試機(jī)連接，就這樣探針卡成為了連接Die與測(cè)試機(jī)的橋梁。

由于不同芯片的功能，測(cè)試需求，尺寸形狀以及Pad/Bump的排布位置等不相同，因此探針卡也就成了針對(duì)某一款芯片的定制化產(chǎn)品，而且由于探針在不斷使用過(guò)程中會(huì)發(fā)生磨損消耗，因此探針卡本身也是一種消耗品。

按照結(jié)構(gòu)來(lái)分類，主流探針卡可大致分為以下三大類：懸臂探針卡，垂直探針卡以及MEMS探針卡。其中懸臂探針卡和垂直探針卡已發(fā)展多年，特別是懸臂探針卡，國(guó)內(nèi)的很多公司生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了很成熟的地步，但是不管懸臂探針卡還是垂直探針卡，其核心部件“探針”大多是從國(guó)外或者臺(tái)灣地區(qū)采購(gòu)的，大陸探針卡廠商主要承擔(dān)的仍然是設(shè)計(jì)+組裝的工作，且整個(gè)大陸探針卡廠商在大陸的探針卡市場(chǎng)中占比都非常低。

懸臂探針卡

垂直探針卡

MEMS探針卡作為當(dāng)前最先進(jìn)的探針卡種類，是當(dāng)前最佳的CP測(cè)試解決方案，也是在整個(gè)探針卡市場(chǎng)中占比最多的產(chǎn)品。MEMS探針卡的制作技術(shù)一直以來(lái)都被國(guó)外壟斷，國(guó)內(nèi)在這一領(lǐng)域的研究直到近幾年才開(kāi)始突破，而我司（和林微納）通過(guò)對(duì)MEMS探針卡領(lǐng)域的投資研發(fā)，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了2D MEMS垂直探針卡從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)的全流程作業(yè)，并已交付客戶使用。

我司MEMS探針卡特點(diǎn)：

· 單張針卡最大針數(shù)近40,000；

· 測(cè)試最小間距（Pitch）達(dá)到了45微米；

· Diamond MEMS Probe 最大載流能力超過(guò)2.5A；

· True Kelvin CP 量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)；

· 三溫測(cè)試可覆蓋-55℃~175℃；

· 測(cè)試誤判率低于1%；

· 壽命超過(guò)100萬(wàn)次。

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